Эвтектический термоэлемент
Известны технологии [59], которые приводят к образованию в термоэлектрических материалах ориентированных игольчатых включений. Примером такого материала является InSb с эвтектическими игольчатыми включениями NiSb. Такая структура обладает анизотропными термоэлектрическими свойствами, причем выделенным является направление вдоль расположения игольчатых включений (рис.1.12а). В таком материале термоЭДС а33 вдоль игольчатых включений х3 отличается от термоЭДС а11 и а22 перпендикулярно игольчатым включениям в направлениях х1 и х2. Поэтому материал с игольчатыми эвтектическими включениями является искусственно анизотропным. Его можно использовать для создания анизотропных термоэлементов поперечного типа.
Схема такого термоэлемента в режиме генерации ЭДС и тока приведена на рис.1.126. Термоэлемент представляет собой обычный анизотропный термоэлемент поперечного типа из искусственно-анизотропного материала на основе эвтектических игольчатых включений. Термоэлектрический материал с игольчатыми включениями известен, как материал для короткозамкнутых термоэлементов в магнитном поле [59]. Однако, здесь он используется для создания эвтектического термоэлемента в виде анизотропного термоэлемента поперечного типа без магнитного поля.
Описание такого термоэлемента, насколько известно, здесь приводится впервые.
Помимо генерации ЭДС и тока такой термоэлемент может быть использован для термоэлектрического охлаждения или нагрева.